Полупроводникови материали и структури за наноелектрониката

В края на 20-ти век микроелектрониката достигна максималните си възможности по отношение на производителност, степен на интеграция, разсейване на мощността и скорост при обработката и предаването на информация. Основните материали в областта на микроелектрониката и оптоелектрониката включваха силиций, германий и бинарни полупроводникови съединения (АЗВ5, А2В6, А4В6), за които бяха разработени специализирани технологии. Електрофизичните им характеристики бяха установени предварително и определяха качествата на устройствата, произведени от тях. Въпреки това чрез взаимната разтворимост между четвъртокласни полупроводници, както и помежду АЗВ5, А2В6 и А4В6 съединенията бяха получени твърди разтвори с електрофизични параметри, вариращи в зависимост от техния състав. Тези нови материали послужиха като основа за наноелектроника и доведоха до развитието на нови класове устройства с уникални свойства.

Настоящото издание разглежда свойствата на полупроводниковите твърди разтвори, основните технологични методики за тяхното производство и демонстрацията на иновативни полупроводникови устройства, които не могат да бъдат реализирани с традиционните микроелектронни материали. Книга съдържа оригинални технологични и физически изследвания проведени от автора в партньорство със свои колеги; тези проучвания са пионерски за страната ни и се осъществяват паралелно с водещи научно-изследователски групи зад граница.